این رویداد به دنبال راهکارهایی برای رفع چالش های صنعت میکروالکترونیک کشور می باشد.
محورهای رویداد:
الف – ساخت محصول فناورانه:
۱- طراحی و ساخت پروب سرد
۲- طراحی و ساخت لایه underfill با توجه به نتایج شبیه سازی ها و مهندسی معکوس
۳-طراحی و ساخت ستاپ PL
ب- چالش فناورانه :
۱-تست CVو ارائه مشخصات قابل استخراج برای تست اکسید در Si
۲-ارائه روش تست لایف تایم و موبیلیتی در لایه های خاص
۳-ارائه روش تست DLTS
۴-ارائه پروسس فلو برای لیتوگرافی با استفاده از رزیست منفی و دلوپر مناسب بر روی لایه Al/TiW و AL/TiN بدون آسیب زیرلایه
۵-استخراج استیوکیومتری لایه های بازنشانی شده
۶-بررسی و تحلیل اتصالات و لایه های فلزی بازنشانی شده و استخراج مقاومت آنها
۷- طراحی پروسه سولفوریشن برای آشکارساز نوری بر روی بستر مورد نظر
۸- سایر موضوعات مرتبط (جهت آگاهی به آدرس مرکز ایمیل (info@sofic.ir) ارسال نمایید.)
مراحل رویداد :
دریافت پروپوزال ها : تا تاریخ ۳۰ تیر
بررسی و اعلام نتیجه اولیه : ۱۵ مرداد
عقد قرار داد و حمایت از نمونه اولیه : ۳۰مرداد
معرفی تیم های برگزیده در رویداد : ۲۰ شهریور
